CL-SEM陰極發(fā)光分析是一種高效的微觀檢測技術(shù)，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、礦物、陶瓷及納米材料等領(lǐng)域。該系統(tǒng)可精準(zhǔn)分析材料晶格結(jié)構(gòu)、缺陷分布及摻雜狀態(tài)，為芯片研發(fā)、材料評估等提供關(guān)鍵數(shù)據(jù)支持。我司配備高分辨率CL-SEM系統(tǒng)，支持多波段光譜采集和定制化檢測方案，助力科研與生產(chǎn)中的材料表征需求。
缺陷檢測與分類
元素成分分布探測
材料內(nèi)部摻雜缺陷的檢測與分類
V型深坑測量
不同波長下V坑分布成像分析
V坑的局域態(tài)密度探測分析
定量分析
晶體缺陷密度分析測量
帶隙隨材料的成分不同而變化
時間分辨測量(皮秒級)
局部輻射和非輻射載流子壽命的測量
量子點中載流子能量弛豫過程的時間分辨測量
測樣服務(wù)說明：
2. 多個樣品檢測（≥2個）：按實際檢測項目收取基礎(chǔ)成本費用
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